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上海光機所無錐柱交界面KDP類晶體長籽晶快速生長技術取得重要進展

來源: 發布時間:2019-09-23 13:33:00

  近期,上海光機所應用于Ⅱ類切割的430mm口徑KDP類晶體的長籽晶快速生長技術取得重要進展。利用自主研發的KDP類晶體連續過濾快速生長系統,在國際上首次結合長籽晶點晶技術(籽晶長度260mm),獲得長籽晶KDP晶體(圖1),晶體尺寸為471mm×480mm×400mm(長×寬×柱面高)。 

  初步測試結果表明,晶體透明度好,可以滿足無錐柱交界面的430mm口徑二類混頻元件切割要求。該晶體的成功生長,驗證了長籽晶快速生長技術制備大口徑無錐柱交界面DKDP晶體的可能性,為后續430mm口徑DKDP晶體元件制備奠定基礎。 

  長籽晶生長技術存在一系列優點:(1)充分利用Ⅱ類晶體切割方向特點,提高晶體坯片的切片效率;(2)可以利用長籽晶對應的柱面區域進行元件切割,徹底消除了點籽晶單錐及雙錐頭快速生長固有的錐柱交界面,解決晶體內部錐柱交界面誘導的局域位相畸變及電場增強效應;(3)進一步改善了晶體生長過程中流場環境,有利于獲得高質量晶體;(4)充分利用了快速生長技術特點,430mm口徑晶體的制備周期為3-4個月,顯著優于慢速生長2-3年的制備周期。 

  相關晶體制備技術已經申請了專利(公開號:CN 109943881ACN110055579A)。目前利用該技術正在進行大口徑DKDP晶體研制的攻關工作,有望獲得突破性進展。(激光與紅外材料實驗室) 

1 連續過濾長籽晶快速生長技術制備的KDP晶體(晶體尺寸471mm×480mm×400mm,籽晶長度260mm

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